半(年至)少净赚660亿！长鑫科技底牌曝光，A{股存}储新[龙头]来了？

在 SK 海力士、三星电子、美光科技陆续交出超预期财报后，国产 DRAM（动态随机存取存储器）产业也开始进入业绩兑现阶段。

5 月 17 日，上交所披露长鑫科技更新招股说明书，并恢复上市审核程序，审核状态重新变更为 " 已受理 "。与此同时，长鑫科技同步披露 2026 年一季度经审阅财务数据。

数据显示，今年一季度，公司实现营业收入 508 亿元，同比增长 719.13%；净利润 330.12 亿元，同比增长 1268.45%；经营活动产生的现金流量净额达到 425.66 亿元，同比增幅超过 21235.10%。公司预计，2026 年上半年营业收入将达到 1100 亿至 1200 亿元，净利润预计为 660 亿至 750 亿元。

随着 AI 服务器、高性能计算与大模型训练需求快速增长，高性能 DRAM 逐渐成为 AI 基础设施中最紧缺的核心器件之一，全球存储行业进入新一轮景气周期。过去一年，海外存储板块持续走强，多家韩美存储巨头股价实现数倍上涨，部分产业链公司甚至走出 10 倍行情。

这一轮存储景气周期里，长鑫科技正在成为国产 DRAM 产业中的重要角色。该公司为 DRAM 研发设计制造一体化（IDM）企业，提供 DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，产品应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。

按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。基于 Omdia 数据测算，按 2025 年第四季度 DRAM 销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至 7.67%，并有望随着技术迭代与产能扩张进一步提升。

补齐 A 股原厂短板

" 长鑫科技 IPO 补齐了 A 股原厂短板，市场关注点必然向具备晶圆制造与产能控制的原厂倾斜。" 深度科技研究院院长张孝荣向时代周报记者表示，这将重构估值体系，推动板块从题材炒作转向业绩落地，并有助于带动上游设备材料等核心环节的估值重塑。

事实上，长鑫科技被市场关注，并不仅仅因为业绩爆发。过去几年，A 股 " 存储板块 " 的上涨逻辑，更多集中在模组、封装、渠道与分销环节。无论是佰维存储（688525.SH）、德明利（001309.SZ），还是香农芯创（300475.SZ），本质上都受益于存储涨价、库存周期与品牌运营，但并不掌握 DRAM 最核心的制造能力。

DRAM 制造是典型的重资产、高研发、高资本开支行业，长期被三星电子、SK 海力士与美光科技三大原厂垄断。行业竞争的核心，不只是产品销售，更是晶圆制造、工艺迭代、产能控制与资本投入能力。

考虑到存储链核心壁垒，" 长鑫科技作为国内 DRAM 原厂龙头，将重塑板块估值体系，引领产业链价值重估。"GKURC 产经智库首席分析师丁少将向时代周报记者表示。

从技术路径看，长鑫科技也是内地 DRAM 产业少数完成自主迭代的企业。2019 年，其首次推出自主设计生产的 8Gb DDR4 产品，实现内地 DRAM 产业 " 从 0 到 1" 的突破。此后，其 LPDDR5X 产品最高速率达到 10667Mbps，较上一代 LPDDR5 提升 66%；首款国产 DDR5 产品速率达到 8000Mbps，单颗最大容量 24Gb。

事实上，长鑫科技研发投入仍在持续加码。招股书显示，2025 年长鑫科技研发投入达到 95.93 亿元，同比增长 51.28%；2023 年至 2025 年累计研发投入达到 206.05 亿元。截至 2025 年底，公司累计专利数量达到 6972 件，并已完成从第一代到第四代工艺平台的量产迭代，产品覆盖 DDR4、LPDDR4X 至 DDR5、LPDDR5/5X 等多个世代。

与此同时，长鑫科技也开始进入国内主流终端与云厂商供应链。根据招股书，公司目前已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想集团、小米集团、传音控股、荣耀、OPPO 及 vivo 等客户展开合作，其市场份额也在持续提升。

需警惕行业回调压力

经历数月的快速上涨后，存储市场近期开始出现阶段性波动。今年 4 月前后 DRAM 现货价较高点出现小幅回调。数据显示，DXI、DRAM 及 NAND 价格指数在阶段性冲高后，均较高点出现回调。

但市场普遍认为，这更像是短期交易层面的扰动，而非行业趋势反转。

招商证券在研报中指出，前期现货价涨幅过高导致买方承接意愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变现，短期内买方普遍观望、以消化库存为主。不过，相比波动更大的现货市场，反映真实供需关系的合约价格仍在持续上涨。根据 TrendForce 预测，2026 年第二季度传统 DRAM 合约价格环比涨幅仍将达到 58% 至 63%。

需求方面，根据 TrendForce 预计，2026 年全球九大 CSP 合计资本支出将达约 8300 亿美元，同比增长 79%，共同驱动从 HBM、Server DRAM 到 eSSD、HDD 的全栈式需求增长。库存方面，三星、海力士、美光、南亚科今年一季度库存维持低位，美光 DRAM 库存周转天数已降至 120 天以下的紧张水平。

事实上，供需缺口仍在进一步扩大。根据 SemiAnalysis，2026 年 DRAM 供应低于需求约 7%，其中 HBM 缺口 6%、2027 年进一步扩大至 9%，通用 DRAM 未来两年也将维持约 7% 的结构性缺口。根据宇瞻预计，2026 年 DRAM 供需缺口将继续维持，DRAM 价格仍有充足的上行动能，紧缺周期持续时间显著拉长。

在业内看来，这意味着存储产业景气周期仍远未结束。丁少将指出，2026 年 DRAM 市场供需缺口贯穿全年，AI 服务器需求虹吸效应主导格局，但价格涨幅呈明显收窄态势。他表示，需警惕 2027 年巨头扩产、需求波动带来的周期回调压力。

张孝荣则认为，2026 下半年，DRAM 涨势延续但涨幅会收窄，品类分化趋势明显。长鑫科技受益于周期红利与产能满载，业绩高增确定性强。